氣流磨作為半導體材料的常用加工設備，想必在這種新型材料氧化鎵的超微粉碎上一定也可以取得較好的效果。氧化鎵在半導體領域的應用並不是一項嶄新的技術，在很多年前就有人對其展開了大量的研究，但這種材料原本不是用于功率元件的，最初是計劃用于LED（發光二極管）基板等而進行研發的。
氣流磨對物料的超微粉碎，可以提高物料的附加值以及擴大產品的應用範圍。但是這些用途的研發與應用規模較小，它的一些“特異功能”似乎有些超前，並無用武之地，再加上它的技術難度高以及散熱方面問題突出，在當時看來顯然不如開發碳化 、氮化鎵等更具有性價比。
而隨著應用需求的發展愈加明朗，未來對高功率器件的性能要求越來越高，尤其是對超寬禁帶半導體材料的迫切需求，這使得人們更深切地看到了氧化鎵的優勢和前景，相應的研發工作又多了起來，已成為美國、日本、德國等國家的研究熱點和競爭重點。
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